科研成果

一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

专利名称: 一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法
英文名称: 一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法
专利类别: 发明
申请号: 201110310282.1
申请日期: 2011-10-13
授权日期: 2016-4-6
专利号: ZL201110310282.1
第一发明人: 唐皓颖
其它发明人: 江鹏,王中林
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期: 2016-4-6
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
   

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